
Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН планирует провести Восьмой семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы, посвященный научному наследию российского учёного и организатора науки академику Федору Андреевичу Кузнецову.
Семинар станет продолжением серии научных встреч, которые стартовали в Иркутске (ИрИХ СО РАН) в 2010 году и проходили в Иркутске (2013) и Новосибирске (2011, 2017, 2020, 2022, 2024). Семинар CVD-2026 предложит научную программу с приглашенными лекциями, всесторонним обзором новейших исследований в области химического осаждения из газовой фазы, атомно-слоевого осаждения, физического осаждения из газовой фазы и смежных тем.
В программу семинара включены следующие темы:
1. Фундаментальные основы процессов CVD (химия газовой фазы и поверхности, механизмы реакций, кинетика, моделирование, взаимосвязь структуры и свойств).
2. Новые исходные вещества для процессов CVD: синтез, очистка и характеризация.
3. Новые направления в развитии технологии газофазных процессов (активированные процессы CVD, ALD, гибридные технологии, процессы селективного осаждения и др.).
4. Новые материалы, сложные структуры, гибридные и многофункциональные системы, полученные в процессах CVD (однородные и градиентные пленки, напряженные слои, структуры различной архитектуры: нанотрубы, нанонити, нанокомпозиты, наночастицы, квантовые точки и т.д.).
5. Диагностика пленок и покрытий, контроль процессов CVD (контроль процессов превращения компонентов газовой фазы, состояние образующихся фаз, функциональные характеристики слоев и структур, стабильность пленок).
6. CVD: путь от лаборатории к промышленной технологии.
7. Тонкие пленки и наноструктуры, полученные методом PVD: рост, характеризация, моделирование.
8. Применение процессов CVD, ALD и PVD (микро, нано- и оптоэлектроника, химические сенсоры, катализ, производство энергии, оптические и защитные покрытия и др.).
К участию в семинаре приглашаются ученые и специалисты предприятий, преподаватели, научные сотрудники, аспиранты и студенты высших учебных заведений.